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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审圆的直径符号字母表示R，圆的直径符号字母表示什么查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 圆的直径符号字母表示R，圆的直径符号字母表示什么SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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