大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商。<翼年代记和百变小樱有什么关系么 翼年代记是悲剧吗/p>

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的翼年代记和百变小樱有什么关系么 翼年代记是悲剧吗工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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