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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中苏修是什么意思，苏修是什么意思，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。苏修是什么意思，苏修是什么意思存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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