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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(b绿豆汤的热量是多少大卡àn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为绿豆汤的热量是多少大卡(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1绿豆汤的热量是多少大卡Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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