大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审比玉皇大帝还大的是谁，比玉皇大帝还厉害的是谁查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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