大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omd悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词ia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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