大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问题(tí)危害国感应电流公式3个公式推导，感应电流公式3个公式图解家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加(感应电流公式3个公式推导，感应电流公式3个公式图解jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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