大(dà)家好(hǎo)，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

晋m是山西哪里的车　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)晋m是山西哪里的车演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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