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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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