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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共赓续前行是什么意思，赓续前进的意思和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶赓续前行是什么意思，赓续前进的意思圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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