大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大一公里大概多少步 一公里大概要走几分钟、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另一公里大概多少步 一公里大概要走几分钟(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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