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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另(新人进拘留所会挨打吗，拘留所新人进去受欺负吗lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设新人进拘留所会挨打吗，拘留所新人进去受欺负吗(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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