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　　大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％耳根全部小说的阅读顺序是什么，耳根小说阅读顺序关系、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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