大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)乌鲁木齐海拔多少米高响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron乌鲁木齐海拔多少米高）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作乌鲁木齐海拔多少米高(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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