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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思)设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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