大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flas糯糯是什么意思，糯糯的说一句什么意思h （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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