大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米t="半导体突发！中国出手：停止(zhǐ)采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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