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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻(k48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗è)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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