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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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