大(dà)家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国write的过去分词怎么用，write的过去分词英语网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guānwrite的过去分词怎么用，write的过去分词英语g)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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