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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guā保温杯一般可以用几年，保温杯一般用几年换一次ng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原(y保温杯一般可以用几年，保温杯一般用几年换一次uán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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