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自爱是什么意思如何做到自爱,女生不自爱是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息(xī)。

  美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险,影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此,网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查,目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全,是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

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  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全,防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险,维(wéi)护(hù)国家安全(quán),依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》,网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在华(huá)销售的(de)产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美(měi)国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙头,也(yě)是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一,2022年收入来(lái)自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份额(é)约为 96.76%,三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降,至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

  公告显(xiǎn)示(shì), 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì),江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约(yuē),确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性,巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势,公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此前就分析(xī),如果美光在中国区销售受到(dào)限制,或将导致下游客自爱是什么意思如何做到自爱,女生不自爱是什么意思户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的(de)深(shēn)孔(kǒng),未来可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽,催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù),薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75%。自(zì)长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单,设备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提升,以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗(xǐ))等收入增长。

 

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