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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防单倍行距是多少范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披单倍行距是多少露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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