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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查(chá)。

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　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zh夏天家中有小飞虫怎么办 夏天家中有小飞虫怎么消灭ǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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