大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。形容雨水声音的词语有哪些，形容雨水声音的词语四个字ng>为此，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长形容雨水声音的词语有哪些，形容雨水声音的词语四个字鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。