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胆小虫几级进化 胆小虫值得练吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据(jù)网信办(bàn)消息,日(rì)前,网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ),网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规,我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

  此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全,是(shì)维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求,欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称,为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全,防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险(xiǎn),维护国家(jiā)安全(quán),依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》,网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》,对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(c胆小虫几级进化 胆小虫值得练吗há)。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨头之一(yī),2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降,至少已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游胆小虫几级进化 胆小虫值得练吗建立(lì)国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波(bō)龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性,巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优(yōu)势,公司(sī)也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

  有券商(shāng)此前就(jiù)分析,如果美光(guāng)在中国区销售受到限制,或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤,同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单(dān),设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速(sù),看好拓荆科技(jì)(薄(báo)膜沉积)等相关(guān)公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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