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十公分有多长 10厘米就是10公分吗

十公分有多长 10厘米就是10公分吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查(chá)

  据网信办消息,日前(qián),网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn),对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查,目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安(ān)全,是维护(hù)国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng),只要遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

  半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)突(tū)发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称,为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全,防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险,维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全,依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网络(luò)安全法》,网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

  半导(dǎo)体(tǐ)突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业十公分有多长 10厘米就是10公分吗龙头,也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī),2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、十公分有多长 10厘米就是10公分吗美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势,公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制,或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽,催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù),薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75%。自长江存(cún)储被加入美国限制名单,设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù),看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)(薄膜沉(chén)积)等相关公(gōng)司份额提升,以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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