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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络(luò雨伞能当太阳伞用吗，雨伞能当太阳伞用吗)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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