大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础山登绝顶我为峰全诗李白，最霸气的十首诗设施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统山登绝顶我为峰全诗李白，最霸气的十首诗(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi山登绝顶我为峰全诗李白，最霸气的十首诗)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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