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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)人次是指什么，人次是单位吗销售的(de)产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国人次是指什么，人次是单位吗家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK人次是指什么，人次是单位吗 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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