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　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了耳根全部小说的阅读顺序是什么，耳根小说阅读顺序关系长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)耳根全部小说的阅读顺序是什么，耳根小说阅读顺序关系

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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