大家好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国脱离了低级趣味那句原话怎么说的纪念白求恩，低级趣味是什么意思内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂脱离了低级趣味那句原话怎么说的纪念白求恩，低级趣味是什么意思或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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