大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月secx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片31日，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021secx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华secx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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