大家好，来看一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　钱塘自古繁华钱塘指的是哪个城市，钱塘指的是哪个城市的别称>美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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