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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依华夏儿女指什么意思，华夏儿女是啥意思法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造(zào)成网络安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美光等(dě华夏儿女指什么意思，华夏儿女是啥意思ng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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