大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司(sī)什么的灯火如何填空词语 灯火是词语吗披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大什么的灯火如何填空词语 灯火是词语吗存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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