大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)东北电力大学专科什么专业最好就业，东北电力大学专科什么专业最好找工作lor: #ff0000; line-height: 24px;'>东北电力大学专科什么专业最好就业，东北电力大学专科什么专业最好找工作果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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