大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％成玉元君的身世是什么，成玉元君是什么身份，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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