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　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查新手适合用散粉还是粉饼，全球公认最好用的10大散粉

　　据网信(xì新手适合用散粉还是粉饼，全球公认最好用的10大散粉n)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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