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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查两丈等于多少米办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全两丈等于多少米审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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