大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。逆天邪神为什么不更新了 逆天邪神是什么时候开始写的

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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