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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的(de)产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国(g压线扣几分罚款多少的，压线扣多少分？uó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīn压线扣几分罚款多少的，压线扣多少分？g)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(g压线扣几分罚款多少的，压线扣多少分？òu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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