大家好，来看一(yī)则(zé)突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美(mě一个男人出轨了还爱自己的老婆吗i)光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三(sān)大一个男人出轨了还爱自己的老婆吗供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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