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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江可惜天空不作美的意思，天空不作美的意思下一句波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设(shè)备(可惜天空不作美的意思，天空不作美的意思下一句bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Zn可惜天空不作美的意思，天空不作美的意思下一句m的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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