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硝酸锌化学式,硝酸锌化学式怎么写 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一(yī)则(zé)突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

  据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī),日前,网络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全(quán)风险,影响我国国家安全。为此(cǐ),网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī),我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

  此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查,目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全,是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng),为保障关键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国(guó)家安(ān)全,依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民硝酸锌化学式,硝酸锌化学式怎么写(mín)共和国网(wǎng)络安全法》,网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

  半导体突(tū)发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu),也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一,2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司(sī)中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

  美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降,至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商,采购约31亿(yì)元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约,确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司在下游市场的供应优势,公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

  有券商(shāng)此前就分析(xī),如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

  分(fēn)析(xī)称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步(bù)骤,同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NA硝酸锌化学式,硝酸锌化学式怎么写ND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75%。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān),设(shè)备国产化进程加速,看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公司份额提升(shēng),以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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