大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，20胡服骑射的故事及启示感悟，胡服骑射的故事告诉我们什么22年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī胡服骑射的故事及启示感悟，胡服骑射的故事告诉我们什么)生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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