大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护情怀经典句子正能量，形容一个人有情怀咋说国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cú情怀经典句子正能量，形容一个人有情怀咋说n)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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