大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)广西大学唐纪良主任科员，广西大学唐记良国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(广西大学唐纪良主任科员，广西大学唐记良shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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