大家好，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎngtan1等于多少，tan1等于多少兀)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīngtan1等于多少，tan1等于多少兀)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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