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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办(bà女生摸你头发暗示什么，女生摸你的头发代表什么n)公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法(女生摸你头发暗示什么，女生摸你的头发代表什么fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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